用1M×4的DRAM芯片通過（）擴展可以獲得4M×8的存儲器。

TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）

27系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。

一個16選一的數(shù)據(jù)選擇器，其地址輸入（選擇控制輸入）端有（）個。

DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？

試提出數(shù)字頻率計的三種設(shè)計方案，比較各種方案的特點。如果用HDPLD來實現(xiàn)，設(shè)計方案是最佳嗎？簡述理由。

與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。

若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。

利用2個74LS138和1個非門，可以擴展得到1個（）線譯碼器。

如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。