單項(xiàng)選擇題現(xiàn)代口腔種植發(fā)展過(guò)程中曾出現(xiàn)過(guò)多種不同的種植方式，目前應(yīng)用得最多并受到認(rèn)可的種植方式是（）。

A.骨內(nèi)種植
B.骨膜下種植
C.根管內(nèi)種植
D.穿骨種植
E.下頜支種植


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1.單項(xiàng)選擇題以下選項(xiàng)為基托蠟型伸展范圍的確定依據(jù)，不包括（）。

A.基牙健康狀況
B.缺牙部位
C.缺牙數(shù)目
D.基托厚薄
E.義齒支持形式

2.單項(xiàng)選擇題上下后牙頰舌向位置的排列應(yīng)主要參照（）。

A.口角線
B.面中線
C.牙槽嵴頂線
D.笑線
E.牙合堤平面

3.單項(xiàng)選擇題裝下半盒過(guò)程中最常見(jiàn)下列哪種問(wèn)題？（）

A.模型包埋不牢
B.基托暴露不夠
C.出現(xiàn)倒凹，石膏折斷
D.基牙折斷
E.充填氣泡

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于遠(yuǎn)中游離端義齒的制作下列哪項(xiàng)是不正確的？（）

A.人工牙減徑
B.人工牙減數(shù)
C.減少與對(duì)頜牙咬合面的接觸面積
D.減少基托面積
E.加大基托面積

5.單項(xiàng)選擇題塑料常規(guī)熱處理過(guò)程為（）

A.室溫下加熱→50℃恒溫1小時(shí)→100℃維持半小時(shí)→冷卻至室溫
B.50℃加溫→約70℃恒溫1小時(shí)→90℃維持半小時(shí)→冷卻至室溫
C.室溫下加熱→約70℃恒溫90分鐘→100℃維持半小時(shí)→冷卻至室溫
D.室溫下加熱→約70℃恒溫1小時(shí)→90℃維持半小時(shí)→冷卻至室溫
E.50℃加溫→約70℃恒溫1小時(shí)→100℃維持半小時(shí)→趁熱出盒

6.單項(xiàng)選擇題在牙合架上模擬下頜前伸運(yùn)動(dòng)，前牙有接觸后牙不接觸，產(chǎn)生的原因是（）。

A.前牙排列覆牙合深
B.切導(dǎo)斜度大而后牙補(bǔ)償曲線太小
C.正中咬合接觸不緊
D.個(gè)別牙尖阻擋
E.以上均是

7.單項(xiàng)選擇題下列說(shuō)法中，不正確的是（）。

A.使用振蕩器灌注模型可以減少模型氣泡
B.分段灌注時(shí)應(yīng)等到超硬石膏凝固以后再灌注普通石膏，以防普通石膏流入模型表面，影響修復(fù)體制作工作面的強(qiáng)度
C.調(diào)拌時(shí)如果發(fā)現(xiàn)模型材料水粉比例不當(dāng)，不能夠中途加水或者粉劑，而應(yīng)該棄去材料，重新調(diào)拌
D.灌注模型時(shí)可以在孤立牙部位插入竹簽或者金屬釘，加強(qiáng)其強(qiáng)度，以防孤立牙折斷
E.分段灌注法可以節(jié)約材料，降低成本

8.單項(xiàng)選擇題有關(guān)義齒就位的方向與模型傾斜的關(guān)系下列說(shuō)法哪個(gè)是不正確的？（）

A.模型向前傾斜時(shí)，義齒由前向后戴入
B.模型向后傾斜時(shí)，義齒由后向前戴入
C.模型向左傾斜時(shí)，義齒由左向右戴入
D.模型向右傾斜時(shí)，義齒由右向左戴入
E.以上都是

9.單項(xiàng)選擇題某技術(shù)員在進(jìn)行金瓷修復(fù)體基底冠表面處理時(shí)，用鋁砂噴砂去除金一瓷結(jié)合面的包埋料后，以下哪一操作步驟是不正確的？（）

A.用碳化硅磨除非貴金屬基底金一瓷結(jié)合面的氧化物
B.用鎢剛鉆磨除貴金屬表面的氧化物
C.一個(gè)方向均勻打磨金屬表面不合要求的外形
D.使用橡皮輪磨光金屬表面
E.防止在除氣及預(yù)氧化后用手接觸金屬表面

10.單項(xiàng)選擇題可摘局部義齒后牙排列時(shí)，下列因素不會(huì)引起咬合增高（）。

A.牙合關(guān)系未對(duì)好
B.牙合關(guān)系不恒定
C.在排牙過(guò)程中損壞石膏模型
D.支架移位引起咬合增高
E.牙合支托卡環(huán)體部過(guò)高或模型牙合面有石膏瘤