單項(xiàng)選擇題下列全脊髓電子束直線平行移動(dòng)照射描述錯(cuò)誤的是（）。

A.一種分野照射技術(shù)
B.患者體位不動(dòng)
C.治療床向前或向后作直線平行移動(dòng)
D.治療床應(yīng)有平行移動(dòng)標(biāo)尺
E.應(yīng)有劑量安全連鎖保證


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1.單項(xiàng)選擇題全腦全脊髓照射，兩個(gè)脊髓野（電子線野）的間隙大約為（）。

A.0.3cm
B.0.45cm
C.0.6cm
D.0.8cm
E.1cm

2.單項(xiàng)選擇題髓母細(xì)胞瘤原發(fā)灶照射總量為（）。

A.2500～3000cGy
B.3000～4000cGy
C.4000～4500cGy
D.4500～5000cGy
E.5000～5500cGy

3.單項(xiàng)選擇題全脊髓照射給予的劑量為（）。

A.1500～2000cGy/4～5W
B.2000～2500cGy/4～5W
C.2500～3000cGy/4～5W
D.3000～4000cGy/4～5W
E.4000～5000cGy/4～5W

5.單項(xiàng)選擇題全腦全脊髓頭部固定器需采用（）。

A.仰臥枕
B.軟枕
C.船形枕
D.側(cè)臥枕
E.平枕

6.單項(xiàng)選擇題全腦脊髓照射時(shí)，頭部野應(yīng)包括范圍（）。

A.腦部+C5、6水平以上脊髓部
B.腦部+C4、5水平以上脊髓部
C.腦部+C3、4水平以上脊髓部
D.腦部+C1、2水平以上脊髓部
E.腦部

7.單項(xiàng)選擇題全腦照射一般采用的射線是（）。

A.12MeV電子線
B.15MVX線
C.6～8MVX線
D.25MVX線
E.6MeV電子線

8.單項(xiàng)選擇題下列需要采取全腦全脊髓照射的腫瘤是（）。

A.星形細(xì)胞瘤Ⅰ級(jí)
B.垂體瘤
C.髓母細(xì)胞瘤
D.腦轉(zhuǎn)移瘤
E.顱咽管瘤

9.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于個(gè)立式鉛擋術(shù)描述錯(cuò)誤的是（）。

A.個(gè)立式鉛擋塊就是每塊擋塊在托架上獨(dú)立擺放
B.個(gè)立式鉛擋術(shù)不在患者身上畫(huà)體表野
C.用模板代替體表
D.體表可不標(biāo)十字標(biāo)記
E.照射野的形狀及應(yīng)鉛擋的部位都勾畫(huà)到模板上

10.單項(xiàng)選擇題制作斗篷野鉛擋塊一般應(yīng)需拍（）定位片

A.1張
B.2張
C.3張
D.4張
E.5張