多項(xiàng)選擇題LRDIMM相比于通常的RDIMM區(qū)別正確的有？（）

A：Dual-RankLRDIMM內(nèi)存的功耗只有其50％
B：Quad-RankLRDIMM也能低到其75%
C：內(nèi)存頻率提升到原來的兩倍
D：每通道支持到9個(gè)DIMM，內(nèi)存容量提升到原來的三倍


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1.多項(xiàng)選擇題以下哪些是SAS的優(yōu)勢（）

A、點(diǎn)到點(diǎn)的技術(shù)減少了地址沖突以及菊花鏈連結(jié)的減速
B、更細(xì)的電纜搭配更小的連接器
C、可以同時(shí)連結(jié)更多的磁盤設(shè)備，一個(gè)SAS域最多可以直連16384個(gè)設(shè)備
D、單盤容量大

2.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)選項(xiàng)是1U機(jī)架設(shè)備的高度（）

A、3.50英寸
B、1.75英寸
C、1.55英寸
D、4.445英寸

3.單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不AMDl架構(gòu)CPU的優(yōu)點(diǎn)（）

A、多核心
B、浮點(diǎn)能力強(qiáng)
C、價(jià)格便宜
D、整型計(jì)算能力強(qiáng)

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于SAS的技術(shù)特點(diǎn)錯(cuò)誤的是（）

A、并行連接
B、串行連接
C、采用點(diǎn)到點(diǎn)的技術(shù)
D、兼容SATA

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于多胞胎服務(wù)器應(yīng)用領(lǐng)域描述錯(cuò)誤的是（）

A、關(guān)系型數(shù)據(jù)庫
B、互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)
C、前端接入應(yīng)用
D、IPDC行業(yè)

6.單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不是機(jī)柜的配套部件（）

A、KVM切換器
B、PDU插排
C、FC線纜
D、機(jī)柜托盤

7.多項(xiàng)選擇題80+PLUS當(dāng)前都有哪些（）

A、80Plus銅牌
B、80Plus銀牌
C、80Plus金牌
D、80Plus白金牌
E、80Plus鈦金牌

8.單項(xiàng)選擇題1+1冗余電源的特性正確的是（）

A、在使用1+1電源時(shí)，一個(gè)電源全負(fù)載使用，另外一個(gè)電源是Standy狀態(tài)
B、兩個(gè)電源各承擔(dān)50%的電源功率

9.單項(xiàng)選擇題QPI技術(shù)的作用是？（）

A、提高硬盤陣列速度
B、提高主板與外圍接口連接速度
C、提高主板內(nèi)部多處理器及芯片組連接速度
D、提高網(wǎng)絡(luò)性能

10.單項(xiàng)選擇題EN系列每處理器支持內(nèi)存通道數(shù)量為（）

A、1通道
B、2通道
C、3通道
D、4通道