A.電信號(hào)
B.可見(jiàn)光
C.數(shù)字信號(hào)
D.高能射線
E.銀離子
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A.Al3+
B.Eu2+
C.Cu2+
D.TI2+
E.Se2+
A.數(shù)字成像
B.成像載體可重復(fù)使用
C.動(dòng)態(tài)成像
D.可進(jìn)行數(shù)字圖像處理
E.可使用普通X線機(jī)球管
A.FPD
B.IP
C.CCD
D.PSL
E.Ⅱ
A.FPD
B.IP
C.CCD
D.PSL
E.Ⅱ
A.信息預(yù)處理
B.信息采集
C.消息轉(zhuǎn)化
D.信息處理
E.信息存儲(chǔ)與輸出
A.直接型
B.間接型
C.多絲正比電離室型
D.CCD型
E.光激勵(lì)發(fā)光型
A.光激勵(lì)存儲(chǔ)熒光體
B.非晶硒等光電轉(zhuǎn)換晶體
C.稀土
D.影像增強(qiáng)器
E.光電倍增管
A.諧調(diào)類型（GT）
B.旋轉(zhuǎn)量（GA.
C.旋轉(zhuǎn)中心（GC.
D.諧調(diào)移動(dòng)量（GS）
E.以上都是
A.模擬影像
B.數(shù)字影像
C.黑白影像
D.彩色影像
E.電信號(hào)
A.CT
B.MR
C.CR
D.DSA
E.ECT
最新試題
直接平板探測(cè)器的線性度范圍是（）
FPD能夠成為平板形狀，主要是探測(cè)器的單元陣列采用的是（）
關(guān)于平板探測(cè)器的敘述，錯(cuò)誤的是（）
直接數(shù)字化X射線攝影，硒物質(zhì)直接轉(zhuǎn)換技術(shù)X射線的吸收率高于間接轉(zhuǎn)換技術(shù)（）
CR的圖像處理功能，不包括（）
透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí)，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì)，即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電子跑向偏壓的正極，正電子跑向偏壓的負(fù)極，于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元，即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開(kāi)關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大，送到A/D轉(zhuǎn)換器，從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是（）
CR圖像處理不包括（）
CR攝影和常規(guī)X線攝影不同之處在于（）
從X線到影像按"潛影→可見(jiàn)光→數(shù)字影像"這一程序轉(zhuǎn)換的是（）
CR圖像與X線成像比較，哪項(xiàng)表述不正確（）