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A.產(chǎn)生61º反射時(shí),縱波入射角與橫波反射角之和為90º
B.產(chǎn)生61º反射時(shí),縱波入射角為61º,橫波反射角為29º
C.產(chǎn)生61º反射時(shí),縱波入射角為29º,橫波反射角為61º
D.產(chǎn)生61°反射時(shí),其聲程是恒定的
A.不需要特殊光源,現(xiàn)場(chǎng)操作方便
B.適用于大型工件的探傷,不需要電源和水源
C.具有較高的檢測(cè)靈敏度,抗污能力強(qiáng),適用于表面陽(yáng)極電化處理及鍍鉻工件和維修時(shí)的滲透探傷
D.適用于檢測(cè)表面粗糙的工件
A.電源電壓波動(dòng)很大
B.燈泡上有灰塵
C.室溫變化
D.每次用完就關(guān)閉,頻繁開(kāi)關(guān)
A.缺陷形成的缺口越大,形狀越尖銳,應(yīng)力集中越嚴(yán)重
B.殼體界面不圓程度越大,應(yīng)力集中越嚴(yán)重
C.外加載荷越大,應(yīng)力集中越嚴(yán)重
D.材料脆性越大,應(yīng)力集中越嚴(yán)重
A.缺陷磁痕可永久保留
B.能見(jiàn)斷跟蹤檢測(cè)疲勞裂紋的產(chǎn)生和發(fā)展
C.與連續(xù)法配用,檢測(cè)靈敏度高
D.檢測(cè)速度快,成本低
A.剩磁法與連續(xù)法均能應(yīng)用復(fù)合磁化
B.直流磁場(chǎng)和交流磁場(chǎng)可以構(gòu)成擺動(dòng)磁場(chǎng)
C.兩個(gè)方向不同的直流磁場(chǎng)可以構(gòu)成旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)
D.交叉磁軛分別通以交流電,可以產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)
A.必須在暗環(huán)境中應(yīng)用
B.必須在紫外燈下觀察
C.只能用于表面呈深色的工件
D.背景為暗紫色,顯示為黃綠色
最新試題
對(duì)于平行于檢測(cè)面的缺陷,一般采用()檢測(cè)。
底片清晰度與膠片顆粒度的關(guān)系是()
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝,以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()
發(fā)生康普頓散射的條件是()
對(duì)于鉬靶X射線管,在管電壓低于()千伏時(shí)是不會(huì)產(chǎn)生特征X射線的。
超聲波斜探頭的K值等于()的正切值。
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()
下列對(duì)耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述,不正確的一項(xiàng)是()
一般認(rèn)為表面波探測(cè)的有效深度約為()
探頭的分辨力()